صفحة 7 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Legend 740 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة	Adata Legend 740 Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.13 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.15 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gp Gstfs31120Gntd 128Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gstfs31120Gntd 128Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	380 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	2.24 واط في وضع القراءة / 2.61 واط في وضع الكتابة / 0.17 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Data Dp800 Sata 2 5 Inch 120Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أدا VS سامسونج

الميزة	Data Dp800 Sata 2 5 Inch 120Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
دعم NCQ	true	-
وزن المنتج	35 جرام (g)	46 g
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	QLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

لينوفو VS سامسونج

الميزة	وسيط تخزين ذو حالة ثابتة داخلي لينوفو 7N47A00125	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
سعة الذاكرة	800 GB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	1076 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	932 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	240000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	166000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2500000 saat	1500000 saat
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
خيارات الألوان	Gri	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	QLC
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Team Group GX2 SATA 2.5 بوصة بسعة 512 جيجابايت

سامسونج VS إم جي

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Team Group GX2 SATA 2.5 بوصة بسعة 512 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	430 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,000,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp S750 Sata 25 Inch 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إتش بي VS سامسونج

الميزة	Hp S750 Sata 25 Inch 256Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	السماكة 6.7 مم	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	50 جرام (g)	46 g
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus 5000E Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingspec Q 360Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كينغسبيك VS سامسونج

الميزة	Kingspec Q 360Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 245 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	1.75 واط في الوضع النشط	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 70 * 100.4 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hikvision E100 Sata 2 5 Inch 1024Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

هيكفيجن VS سامسونج

الميزة	Hikvision E100 Sata 2 5 Inch 1024Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 480 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	1.66 واط في وضع القراءة / 1.8 واط في وضع الكتابة / 0.48 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100.1 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm100 M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

ليكسار VS سامسونج

الميزة	Lexar Nm100 M2 256Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 128 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	QLC
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Oscoo On900 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أوسكو VS سامسونج

الميزة	Oscoo On900 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 V
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة