مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Xpg Gammix S50 Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Adata Xpg Gammix S50 Nvme M2 2Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,700,000 ساعة (MTBF) / 3,600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.05 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 12 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Toshiba N300 Nas Sata 35 Inch 12Tb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Toshiba N300 Nas Sata 35 Inch 12Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB 12 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC -
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 5 V 12 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 26.1 * 101.85 * 147 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 720 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 3.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 6.13 واط في الوضع النشط / 3.78 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الشهادات والتصديقات -

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي لينوفو 4XB7A13625مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

محرك أقراص صلبة داخلي لينوفو 4XB7A13625

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تقنية التشفير 256-bit AES Yes
سعة الذاكرة 240 GB 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 290 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 3.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 63 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 2Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V
الحجم والأبعاد - 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج - 46 g

مقارنة جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

جيجابايت Aorus 7000S Nvme M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية يدعم ثماني قنوات NAND Flash مع 32 CEs / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية الحماية من الاختناق الحراري لتبريد وحدة المعالجة المركزية ووحدة معالجة الرسومات -
مادة الهيكل ألومنيوم، نانوكربون -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V
الحجم والأبعاد - 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج - 46 g

مقارنة Lexar Ns100 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Lexar Ns100 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 512 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة كوربارتس 256 جيجابايت SSDM256I382 SSD داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

كوربارتس 256 جيجابايت SSDM256I382 SSD داخلي

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سعة الذاكرة 256 GB 1 TB
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
وزن المنتج 100 g 46 g
الحجم والأبعاد 90 * 30 * 180 mm 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة Adata Xpg Sx900 64Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Adata Xpg Sx900 64Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة لينوفو 4XB7A80340 SSD داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

لينوفو 4XB7A80340 SSD داخلي

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سعة الذاكرة 800 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC QLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 420000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 120000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير - Yes
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g

مقارنة Lenovo 00XK702 محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Lenovo 00XK702 محرك أقراص صلبة داخلي

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سعة الذاكرة 128 GB 1 TB
الحجم والأبعاد 2.5" (7 mm kalınlık) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 46 g

مقارنة Lenovo 00KT015 محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Lenovo 00KT015 محرك أقراص صلبة داخلي

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سعة الذاكرة 128 GB 1 TB
الحجم والأبعاد 2.5" (7 mm kalınlık) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 46 g

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17073مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A17073

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سعة الذاكرة 480 GB 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 410 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 85000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 36000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1324 1500000 saat
الحجم والأبعاد M.2 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 10 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C