مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Msi Spatium M370 Nvme M2 128Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة	Msi Spatium M370 Nvme M2 128Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Legend 750 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Legend 750 Nvme M2 500Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
خيارات الألوان	أزرق	-
الحجم والأبعاد	3.1 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.1 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Legend 700 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Legend 700 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 480 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
خيارات الألوان	أزرق	-
الحجم والأبعاد	3.13 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.15 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gen3 2500E Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / محسن استهلاك الطاقة / برنامج SSD Tool Box	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Klevv Cras C920 Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كليف VS سامسونج

الميزة	Klevv Cras C920 Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	true	-
العمر الافتراضي المتوسط	700 (TBW) تيرابايت (tb)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / برنامج Acronis True Image HD 2018 / دعم ترميز LPDC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Sd600Q 240Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Sd600Q 240Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	Dahili
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
نوع الاتصال	Micro-B إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 1	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	440 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	430 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 8 والإصدارات الأحدث / macOS X الإصدار 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 5.0 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	يدعم ذاكرة التخزين المؤقت الذكية SLC / مقاوم للاهتزاز والصدمات من ارتفاع 1.22 متر / يدعم وحدات تحكم ألعاب Xbox One و PlayStation 4	-
الشهادات والتصديقات	المعيار العسكري MIL-STD-810G 516.6 / FCC، CE، KC، EAC، BSMI، RoHS	-
مادة الهيكل	بلاستيك	-
خيارات الألوان	أسود، أزرق، أحمر	-
الحجم والأبعاد	15.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	60 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	true	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA III

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Legend 710 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Legend 710 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 260 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3.13 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.15 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كورسير VS سامسونج

الميزة	Corsair Force Mp510 Nvme M2 1 92Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	7.1 (وضع القراءة) / 6.2 (وضع الكتابة) / 30 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 2 مللي واط (وضع DevSlp)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	8.2 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Zadak Twsg3 Nvme M2 128Gb

سامسونج VS زاداك

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Zadak Twsg3 Nvme M2 128Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	2.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Biostar M500 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

بيواستار VS سامسونج

الميزة	Biostar M500 Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الأنظمة المتوافقة	--- يبدأ توافق نظام التشغيل هنا ---	-
الميزات الإضافية	خوارزمية BCH المتقدمة لتصحيح الأخطاء / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	9.5 * 23 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	true	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Galexbit G500 120Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

غاليكسبت VS سامسونج

الميزة	Galexbit G500 120Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	519 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	491 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	35 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة