صفحة 8 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Biostar Ssd S100 480Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Biostar Ssd S100 480Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة --- يبدأ توافق نظام التشغيل هنا --- -
الحجم والأبعاد 7 * 70 * 100 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 36 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Seagate Firecuda 530 Nvme M2 500Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Seagate Firecuda 530 Nvme M2 500Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,800,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 2.23 * 22.15 * 80.16 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 7.7 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 5.8 واط في الوضع النشط / 0.014 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Silicon Power Ace A55 Sata30 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Silicon Power Ace A55 Sata30 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Klevv Cras C700 Nvme M2 240Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Klevv Cras C700 Nvme M2 240Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 100 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.2 * 24 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة Kingmax Px4480 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Kingmax Px4480 Nvme M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8.5 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Kingmax Pq4480 Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Kingmax Pq4480 Nvme M2 2Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2780 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8.5 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Fadak B5 Sereis 25 Inch 480Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Fadak B5 Sereis 25 Inch 480Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 60 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Kodak X200 Msata 128Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Kodak X200 Msata 128Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة خارجي Dahili
تصميم وأبعاد الجهاز -
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 2 -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 420 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux 2.6.31 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 10 * 45 * 90.5 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 38 جرام (g) 46 g
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة - Serial ATA III

مقارنة Imation A320 Sata 25 Inch 480Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Imation A320 Sata 25 Inch 480Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 1.44 واط في وضع القراءة / 3.42 واط في وضع الكتابة / 0.3 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69 * 100 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 80 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS

مقارنة Data Dp800 Sata 2 5 Inch 480Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Data Dp800 Sata 2 5 Inch 480Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
دعم NCQ true -
وزن المنتج 35 جرام (g) 46 g
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)

مقارنة Pny Cs900 Sata 2 5 Inch 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Pny Cs900 Sata 2 5 Inch 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 535 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 515 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 99.06 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Lexar Ns200 480Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Lexar Ns200 480Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 240 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V