مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Sandisk Ssd Plus 480Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Sandisk Ssd Plus 480Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 535 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 445 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 7 x 69.95 x 100.5 مم
وزن المنتج 46 g 59 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Adata Xpg Sx900 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Adata Xpg Sx900 512Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Lexar Nm620 Nvme M2 256Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Teamgroup Ex2 Sata 25 Inch 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Teamgroup Ex2 Sata 25 Inch 2Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 5 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1,660 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 5 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Adata Xpg Gammix S70 Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Adata Xpg Gammix S70 Nvme M2 2Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1480 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 15 * 25.2 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 34 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 7100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 19 * 23 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 340 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Adata Legend 710 Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Adata Legend 710 Nvme M2 256Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 3.13 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 2.15 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 9 جرام (مع المشتت الحراري) ** 6.2 جرام (بدون المشتت الحراري) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Lenovo 4XB7A79639 قرص صلب داخلي (SSD)مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Lenovo 4XB7A79639 قرص صلب داخلي (SSD)

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سعة الذاكرة 800 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND QLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 530000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 145000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 70 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 2Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 7100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 19 * 23 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 340 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Adata Xpg Sx8000 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Adata Xpg Sx8000 256Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Adata Xpg Gammix S50 Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Adata Xpg Gammix S50 Nvme M2 2Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,700,000 ساعة (MTBF) / 3,600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.05 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 12 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V