مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Hikvision E1000 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Hikvision E1000 Nvme M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 5.9 واط في وضع القراءة / 6.1 واط في وضع الكتابة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 46 g
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Adata Su650 M2 2280 240Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Adata Su650 M2 2280 240Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTTF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 7 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Teamgroup Cx2 Sata 2 5 Inch 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Teamgroup Cx2 Sata 2 5 Inch 2Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 490 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 5 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lenovo 4XB7A10241 SSD داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Lenovo 4XB7A10241 SSD داخلي

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سعة الذاكرة 3.84 TB 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 3000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 70 g 46 g
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - QLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Pioneer Aps Se20G Pcie M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Pioneer Aps Se20G Pcie M2 256Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 300 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Adata Su750 Sata 25 Inch 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Adata Su750 Sata 25 Inch 512Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 47.5 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1650 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018 -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 7 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة Patriot Viper Vp4100 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Patriot Viper Vp4100 Nvme M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1800 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية متوافق مع منتجات AMD بمعيار PCIe 4.0 / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج VIPER VP4100 SSD Toolbox -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 8 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 25 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Kodak X250S Sata M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Kodak X250S Sata M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / محسن استهلاك الطاقة -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 46 g

مقارنة Oscoo On900 Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Oscoo On900 Nvme M2 2Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 4.1 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
وزن المنتج - 46 g

مقارنة قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A80342مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

قرص صلب داخلي لينوفو 4XB7A80342

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سعة الذاكرة 3.2 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC QLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 420000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير - Yes
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g

مقارنة Netac N535N 2280 Sata M2 128Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Netac N535N 2280 Sata M2 128Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات ISO9001، RoHS -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g