صفحة 2 من المقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

سامسونج VS سامسونج

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 g	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Nvme M2 128Gb	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		1550000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سامسونج VS سامسونج

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 g	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI298	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	600	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	6 g	9 g
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

لينوفو VS سامسونج

الميزة	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	47500 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	No	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 MB/s
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	-	Yes
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 MB/s
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	7.5 g	9 g
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1400
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج	9 g	50 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

لينوفو VS سامسونج

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	960 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	-	Yes
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 MB/s
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	700	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

ديل VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	960 GB	1 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

سامسونج VS سامسونج

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	440000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	M.2
وزن المنتج	9 g	9 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة