1. يُقارِن | Yuqarin
  2. مقارنة إلكترونيات
  3. مقارنة الكمبيوتر وإكسسواراته
  4. مقارنة وحدات تخزين البيانات
  5. مقارنة أقراص SSD
  6. مقارنة أقراص SSD داخلية

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كروشيال VS سامسونج
الميزة

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4 Yes
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 6900 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND V-NAND MLC
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري -
الحجم والأبعاد M.2 2280 M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سعة الذاكرة - 1 TB
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 9 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغسبيك VS سامسونج
الميزة

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4 Yes
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 7450 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC) V-NAND MLC
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة -
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف -
الحجم والأبعاد M.2 2280 M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 -
تقنية التشفير - Yes
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 9 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سامسونغ VS سامسونج
الميزة

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

نوع استخدام الذاكرة ذاكرة فلاش NAND Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2 Yes
نوع الاتصال NVMe -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 7150 ميجابايت/ثانية 7450 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND V-NAND MLC
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل -
الأنظمة المتوافقة كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 -
تقنية التشفير Yes
الحجم والأبعاد M.2 2280 M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
محتويات العلبة SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 -
استهلاك الطاقة فعال -
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 9 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع

سامسونج VS سامسونغ
الميزة

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes PCIe 4.0 x4 NVMe
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة Dahili SSD داخلي
تقنية التشفير Yes تشفير AES 256 بت
دعم S.M.A.R.T true نعم
دعم TRIM true نعم
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7450 MB/s تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 MB/s تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1200000 IOPS تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1550000 IOPS تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 2.3 * 22 mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 9 g تقريبًا 8.0 جرام
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
ذاكرة DRAM - نعم
وحدة التحكم - Samsung Elpis Controller
دعم NCQ - نعم
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية - برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
تصميم وأبعاد الجهاز - عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة - أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tbمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إم إس آي VS سامسونج
الميزة

Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1550000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 x 22 x 80 مم M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 3.3 V
وزن المنتج - 9 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سعة الذاكرة 2 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 640 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 2.8 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
الجهد التشغيلي - 3.3 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
VS
مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت
الميزة

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7450 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 MB/s 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1550000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1800000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 2.3 * 22 mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج 9 g 40 g
الشهادات والتصديقات - RoHS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إتش بي VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC V-NAND MLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 9 g 9 g
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة - PCI Express 4.0
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كليف VS سامسونج
الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1500000 saat
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 10 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
VS
مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس
الميزة

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7450 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 2.3 * 22 mm) -
وزن المنتج 9 g -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
VS
مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت
الميزة

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7450 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 MB/s 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1200000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1550000 IOPS 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1400
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 2.3 * 22 mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 9 g 50 g
الشهادات والتصديقات - RoHS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

بريداتور VS سامسونج
الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 7 g 9 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
الجهد التشغيلي - 3.3 V
عرض تفاصيل المقارنة