صفحة 3 من المقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	480	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	7 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	250
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج	9 g	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

ديل VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	3.84 TB	1 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	No	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

لينوفو VS سامسونج

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	512 GB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	6900 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	7.2 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		1550000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

فيليبس VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	240 GB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	6900 MB/s
الجهد التشغيلي	5 V	3.3 V
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	38.2 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	8 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		1550000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	9 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		1550000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	9 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	500 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	160	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	2.6 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

سامسونج VS سيجيت

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج	9 g	205 g

عرض تفاصيل المقارنة