مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

الميزة		اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة		Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
نوع الاتصال		-
سعة الذاكرة		1 TB
سرعة القراءة التسلسلية		7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية		6900 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
الأنظمة المتوافقة		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد		M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
محتويات العلبة		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغسبيك VS سامسونج

الميزة		اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة		Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
نوع الاتصال		-
سعة الذاكرة		1 TB
سرعة القراءة التسلسلية		7450 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
دعم TRIM		true
دعم S.M.A.R.T		true
الأنظمة المتوافقة		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد		M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
محتويات العلبة		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سامسونغ VS سامسونج

الميزة		اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة		Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
نوع الاتصال		-
سعة الذاكرة		1 TB
سرعة القراءة التسلسلية		7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية		6900 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
الأنظمة المتوافقة		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد		M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
محتويات العلبة		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
استهلاك الطاقة		-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true
دعم TRIM	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	9 g
نوع الاتصال	-
ذاكرة DRAM	-
وحدة التحكم	-
دعم NCQ	-
الأنظمة المتوافقة	-
الميزات الإضافية	-
خيارات الألوان	-
محتويات العلبة	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
استهلاك الطاقة	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tbمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		1550000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات	-
الحجم والأبعاد	2.15 x 22 x 80 مم	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5000 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	640	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	2.8 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1800000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج	9 g	40 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إتش بي VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC	V-NAND MLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	9 g	9 g
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	PCI Express 4.0
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كليف VS سامسونج

الميزة	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4800 MB/s	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	560000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	615000 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1400	1500000 saat
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	10 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
الشهادات والتصديقات	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	-
وزن المنتج	9 g	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1400
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج	9 g	50 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

بريداتور VS سامسونج

الميزة	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	7200 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6300 MB/s	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	925000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	974000 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	7 g	9 g
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة