صفحة 14 من المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	9.7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	100 x 69.85 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 128Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS أدا

الميزة	Adata Premier Pro Sp900 128Gb	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	545 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	535 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	68 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Qvo 2Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung 860 Qvo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb

جيجابايت VS إم إس آي

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Legend 750 Nvme M2 500Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS أدا

الميزة	Adata Legend 750 Nvme M2 500Gb	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	3.1 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.1 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
خيارات الألوان	-	أزرق
وزن المنتج	-	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

جيجابايت VS كينغماكس

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		3.5 واط في الوضع النشط
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
وزن المنتج	-	10 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع جيجابايت Nvme M2 128Gb

جيجابايت VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	جيجابايت Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb

جيجابايت VS كليف

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1650 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	45 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة