صفحة 13 من المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 9.7 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTTF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.5 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false true
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 40.6 جرام (g)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع جيجابايت Nvme M2 256Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

الميزة

Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 660 جرام (g)

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

الميزة

Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 10, 11 / macOS X
وزن المنتج - 11 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Kingspec T 64Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Kingspec T 64Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 1.8 واط في الوضع النشط / 0.35 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 7 * 69.8 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / Linux
وزن المنتج - 68 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
وزن المنتج - 9 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Kingspec Mt Msata 64Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Kingspec Mt Msata 64Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -20 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 87 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
وزن المنتج - 41 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Seagate Xbox Series 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Seagate Xbox Series 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 5 * 76 * 139 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 68 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.15 x 22 x 80 مم
مؤشر الحالة LED false false