المقارنة تخزين البيانات والأقراص

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

المقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن محصول 8 جرام (g) -
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM - 512 ميجابايت DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 فولت (v) -

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن محصول - 9 جرام (g)
حافظه DRAM true false
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه - 1 تيرابايت (tb)
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 980 Nvme M2 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن محصول - 8 جرام (g)
حافظه DRAM true false
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه - 1 تيرابايت (tb)
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 فولت (v)

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن محصول - 9 جرام (g)
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه - 1 تيرابايت (tb)
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 فولت (v)

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن محصول - 9 جرام (g)
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 فولت (v)

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن محصول - 8 جرام (g)
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه - 1 تيرابايت (tb)
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 فولت (v)

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن محصول - 13.4 جرام (g)
میزان توان مصرفی - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري)
وزن محصول - 10 جرام (مع المشتت الحراري) ** 6 جرام (بدون المشتت الحراري)
میزان توان مصرفی - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع السكون (Slumber)
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 370 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن محصول - 8 جرام (g)
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 إلى 70 درجة مئوية
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن محصول - 8 جرام (g)
میزان توان مصرفی - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 فولت (v)

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن محصول - 8 جرام (g)
میزان توان مصرفی - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 فولت (v)

المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
نوع کاربری حافظه داخلي داخلي
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن محصول - 11 جرام (g)
میزان توان مصرفی - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نوع حافظه DRAM 512 ميجابايت DDR4 -