مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 168 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 34 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 47 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 46 جرام (g)

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM - 512 ميجابايت DDR4
استهلاك الطاقة -
الميزات الإضافية - مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 70 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 460 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 360 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 63 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Team Group MP33 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Team Group MP33 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
وزن المنتج - 6 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع شيشو XS880 mSATA سعة 256 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

شيشو XS880 mSATA سعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box معايير FCC, CE, ROHS
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows 7, 8, 10 / macOS / Linux

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 45 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1366 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 8 واط في الوضع النشط / 2.6 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 110.2 x 22 x 38 مم
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 20 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 1.3 واط في وضع الخمول / 2.7 واط في الوضع النشط
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box إمكانية التشغيل على مدار 24 ساعة
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / برنامج Transcend SSD Scope
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 3.58 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي -
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)