صفحة 15 من المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Pro M2 1Tb

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung 970 Pro M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		5.2 واط في وضع القراءة / 5.7 واط في وضع الكتابة / 8.5 واط في الوضع الأقصى / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	مناسب للألعاب / برنامج Magician Software لـ SSD
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS أدا

الميزة	Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	يدعم آيباد وماك بوك ووحدات تحكم الألعاب
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	12.25 * 35 * 64.8 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	true
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 9 والإصدارات الأحدث / Linux 2.6 والإصدارات الأحدث
وزن المنتج	-	31 جرام (g)
محتويات العلبة	-	كابل USB-C إلى USB-C / كابل USB-C إلى USB-A / دليل المستخدم

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS أدا

الميزة	Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 1480 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري) / 4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	7 جرام (بدون المشتت الحراري) ** 10 جرام (مع المشتت الحراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	13 * 59 * 88 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
خيارات الألوان	-	أسود، أزرق، رمادي (توب)
وزن المنتج	-	98 جرام (g)
محتويات العلبة	-	كابل USB Type-C إلى USB Type-C / كابل USB Type-C إلى USB Type-A / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb

جيجابايت VS دي إس

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	9.6 * 52.5 * 100.8 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	true
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 8 والإصدارات الأحدث / macOS X الإصدار 10.6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مادة الهيكل	-	بلاستيك
خيارات الألوان	-	أسود، أزرق، أخضر
وزن المنتج	-	52 جرام (g)
محتويات العلبة	-	كابل USB Type C إلى USB Type C / محول USB Type C إلى USB Type A / دليل المستخدم

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Sd600Q 960Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS أدا

الميزة	Adata Sd600Q 960Gb	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	440 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	430 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	يدعم ذاكرة التخزين المؤقت الذكية SLC / مقاوم للاهتزاز والصدمات من ارتفاع 1.22 متر / يدعم وحدات تحكم ألعاب Xbox One و PlayStation 4
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	15.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	true
نوع الاتصال	-	Micro-B إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 1
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 8 والإصدارات الأحدث / macOS X الإصدار 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 5.0 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-	المعيار العسكري MIL-STD-810G 516.6 / FCC، CE، KC، EAC، BSMI، RoHS
مادة الهيكل	-	بلاستيك
وزن المنتج	-	60 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

جيجابايت VS إكس بي جي

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	11 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS أدا

الميزة	Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS أدا

الميزة	Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 370 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع السكون (Slumber)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	10 جرام (مع المشتت الحراري) ** 6 جرام (بدون المشتت الحراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS أدا

الميزة	Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	13.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة