| نوع استخدام الذاكرة |
داخلي
|
|---|---|
| منفذ الاتصال بالذاكرة |
|
| تفاصيل الاتصال بالتخزين |
|
| تصميم وأبعاد الجهاز |
|
|---|
| سعة الذاكرة |
|
|---|---|
| مواصفات ذاكرة الفلاش |
Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
|
| وحدة التحكم |
|
| سرعة القراءة التسلسلية |
5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
|
| سرعة الكتابة التسلسلية |
2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
|
| سرعة القراءة العشوائية للبيانات |
|
| سرعة الكتابة العشوائية للبيانات |
|
| ذاكرة DRAM |
نعم
62٪ لديهم
|
| نوع الذاكرة DRAM |
512 ميجابايت DDR4
|
| نطاق درجة الحرارة التشغيلية |
|
| العمر الافتراضي المتوسط |
1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
|
| استهلاك الطاقة |
|
|---|
| دعم NCQ |
لا
21٪ ليس لديهم
|
|---|---|
| دعم TRIM |
نعم
83٪ لديهم
|
| دعم RAID |
لا
9٪ ليس لديهم
|
| دعم S.M.A.R.T |
نعم
86٪ لديهم
|
| الميزات الإضافية |
مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
|
| الحجم والأبعاد |
11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
|
|---|
| مؤشر الحالة LED |
لا
16٪ ليس لديهم
|
|---|