صفحة 4 من المقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 1.6 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 3.84 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 58 g 8 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
العمر الافتراضي المتوسط - 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 360 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي 5 V -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 70 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 38.2 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1655 (TBW) تيرابايت (tb) 250
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة SSD داخلي سيجيت Nytro 5350Sمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 7200 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 12 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 205 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

وزن المنتج 164 g 8 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 69 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false