صفحة 3 من المقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

كينغستون VS سيلكون باور

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.3 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

إتش بي VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	8 جرام (g)
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

إتش بي VS سيلكون باور

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
وزن المنتج	34.4 g	8 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

كينغستون VS سيلكون باور

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	146.2 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع

سيلكون باور VS كروشيال

الميزة	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		-
مواصفات ذاكرة الفلاش		Micron G8 NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1655 (TBW) تيرابايت (tb)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الأنظمة المتوافقة	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
الميزات الإضافية		برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	PCIe Gen4 NVMe
محتويات العلبة	-	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع

سيلكون باور VS سامسونغ

الميزة	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		Samsung V-NAND
وحدة التحكم		Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	true	نعم
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1655 (TBW) تيرابايت (tb)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
الأنظمة المتوافقة	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية		برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	8 جرام (g)	تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان	-	أسود
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة	-	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع

سيلكون باور VS سامسونغ

الميزة	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم		وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1655 (TBW) تيرابايت (tb)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الأنظمة المتوافقة	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية		تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
تقنية التشفير	-
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة	-	فعال

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سيجيت VS سيلكون باور

الميزة	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D cMLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 110 * 2 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	14 g	8 جرام (g)
خيارات الألوان	Black, Green	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

كينغستون VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	2 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	480	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة