مقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Kingston Uv500 240Gbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Kingston Uv500 240Gb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة 0.5 واط في المتوسط / 1.17 في وضع القراءة / 2.32 في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.1 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 41 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1655 (TBW) تيرابايت (tb) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1800000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 40 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات RoHS
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 50 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Sl200 Usb 3 1 2Tbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Lexar Sl200 Usb 3 1 2Tb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1 -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 40.6 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر) -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
العمر الافتراضي المتوسط - 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

الميزة

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

نوع استخدام الذاكرة داخلي محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1655 (TBW) تيرابايت (tb) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true نعم
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الأنظمة المتوافقة Windows 8.1 والإصدارات الأحدث Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe Gen3x4
محتويات العلبة - SSD، وثائق

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3400 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
الشهادات والتصديقات RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2400 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
خيارات الألوان Black, Green -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
العمر الافتراضي المتوسط - 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6500 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 14 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
العمر الافتراضي المتوسط - 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false