صفحة 5 من المقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
العمر الافتراضي المتوسط - 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 160 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.6 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 320 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Hp S700 Sata M2 500Gbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Hp S700 Sata M2 500Gb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTTF) / 295 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 3.35 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 5 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -

مقارنة Patriot Viper Vp4100 Nvme M2 2Tbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Patriot Viper Vp4100 Nvme M2 2Tb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 3600 (TBW) تيرابايت (tb) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية متوافق مع منتجات AMD بمعيار PCIe 4.0 / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج VIPER VP4100 SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 8 * 22 * 80 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 25 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة Adata Ultimate Su650 480Gbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Adata Ultimate Su650 480Gb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTTF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 47.5 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Adata Su720 Sata 2 5 Inch 500Gbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Adata Su720 Sata 2 5 Inch 500Gb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 48 جرام (g) 8 جرام (g)
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED - false