صفحة 2 من المقارنة Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

ديل VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	960 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

كينغستون VS سيلكون باور

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14800 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.7 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

لينوفو VS سيلكون باور

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	512 GB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.2 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

جيجابايت VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

جيجابايت VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

لينوفو VS سيلكون باور

الميزة	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	47500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

لينوفو VS سيلكون باور

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	240 GB
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	250 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	26000 IOPS
الحجم والأبعاد	M.2	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

لينوفو VS سيلكون باور

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
سعة الذاكرة	512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.5 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة