صفحة 4 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
تقنية التشفير	Yes	Yes
سعة الذاكرة	7.68 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	151.3 g	57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

إتش بي VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	1 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC	V-NAND MLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 g	57 g
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	4 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14800 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	7.7 g	57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	1.92 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	70 g	57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
الجهد التشغيلي	-	5 V
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0	Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3400 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	8 g	57 g
خيارات الألوان	Siyah	-
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	7.5 g	57 g
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	2 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14700 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	7.7 g	57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

كينغستون VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	2 TB	8 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	480	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	7 g	57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	7.5 g	57 g
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1200	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	7.5 g	57 g
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	1.92 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	-	Yes
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

ديل VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	3.84 TB	8 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	No	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	57 g
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة