مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة		قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4	No
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	530 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND	V-NAND MLC
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سعة الذاكرة	-	8 TB
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سامسونغ VS سامسونج

الميزة		قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	SSD داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe 4.0 x4 NVMe	No
نوع الاتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت	8 TB
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية	530 MB/s
ذاكرة DRAM	نعم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
مواصفات ذاكرة الفلاش	Samsung V-NAND	V-NAND MLC
وحدة التحكم	Samsung Elpis Controller	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)	1500000 saat
دعم NCQ	نعم	-
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)	-
الميزات الإضافية	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5	-
تقنية التشفير	تشفير AES 256 بت	Yes
خيارات الألوان	أسود	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	تقريبًا 8.0 جرام	57 g
محتويات العلبة	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	-
استهلاك الطاقة	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO	-
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	57 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات	-
الحجم والأبعاد	2.15 x 22 x 80 مم	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	57 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Nvme M2 256Gb	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	57 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Nvme M2 128Gb	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0$

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

كينغماكس VS سامسونج

الميزة	Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	3.5 واط في الوضع النشط	-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	57 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0 {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت$

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)	-
وزن المنتج	57 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة