صفحة 3 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1400
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 57 g 50 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 12 g 57 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 440000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm) M.2
وزن المنتج 57 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 57 g

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سعة الذاكرة 1.6 TB 8 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 57 g
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1500000 saat
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 10 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 1 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 6 g 57 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

وزن المنتج 164 g 57 g
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سعة الذاكرة - 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة - Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
الجهد التشغيلي 5 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 46 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سعة الذاكرة 960 GB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين No No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير - Yes
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 57 g

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سعة الذاكرة 1.92 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 69 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No