صفحة 5 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	8 TB	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D cMLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2000000 saat
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	57 g	14 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	512 GB	8 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	6.5 g	57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سامسونج VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	8 TB	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)	2.5"
وزن المنتج	57 g	58 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	1 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	7.3 g	57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	500 GB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	160	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	2.6 g	57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

لينوفو VS سامسونج

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	512 GB	8 TB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	530 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	7.2 g	57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

بريداتور VS سامسونج

الميزة	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	8 TB
سرعة القراءة التسلسلية	7200 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6300 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	925000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	974000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج	7 g	57 g
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	600	1500000 saat
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
سعة الذاكرة	240 GB	8 TB
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	250 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	78000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	26000 IOPS	88000 IOPS
الحجم والأبعاد	M.2	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 2.0	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	700	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	57 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

سامسونج VS سيجيت

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	8 TB	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2500000 saat
الجهد التشغيلي	5 V	12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج	57 g	205 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

إتش بي VS سامسونج

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0
وزن المنتج	34.4 g	57 g
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سعة الذاكرة	-	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة