صفحة 2 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 4 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
الجهد التشغيلي 5 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 46 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سعة الذاكرة 960 GB 8 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 57 g
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 1 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6500 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS 88000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 14 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 640 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 2.8 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سعة الذاكرة 1.92 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين No No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 57 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 3.84 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 146.2 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1400
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 57 g 50 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سعة الذاكرة 1 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 320 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 2.8 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 9 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

سعة الذاكرة 240 GB 8 TB
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 360 MB/s 530 MB/s
الجهد التشغيلي 5 V 5 V
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 70 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 38.2 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No