1. يُقارِن | Yuqarin
  2. مقارنة إلكترونيات
  3. مقارنة الكمبيوتر وإكسسواراته
  4. مقارنة وحدات تخزين البيانات
  5. مقارنة أقراص SSD
  6. مقارنة أقراص SSD داخلية
  7. صفحة 5

صفحة 5 من المقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سامسونج VS سامسونج
الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 1500000 saat
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 9 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

جيجابايت VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
الجهد التشغيلي - 3.3 V
وزن المنتج - 9 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

أداتا VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 2 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 12 g 9 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 3.3 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 7.5 g 9 g
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إتش بي VS سامسونج
الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

وزن المنتج 34.4 g 9 g
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة - PCI Express 4.0
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سعة الذاكرة - 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إتش بي VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

وزن المنتج 164 g 9 g
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة - PCI Express 4.0
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سعة الذاكرة - 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط) {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط) {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج
الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 69 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 3.3 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

لينوفو VS سامسونج
الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سعة الذاكرة 2 TB 1 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 9 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 3.3 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 320 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 2.8 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 1550000 IOPS
الجهد التشغيلي - 3.3 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

جيجابايت VS سامسونج
الميزة

جيجابايت Nvme M2 256Gb

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1550000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 3.3 V
وزن المنتج - 9 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

آي ستوريدج VS سامسونج
الميزة

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6500 MB/s 6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS 1550000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 14 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 3.3 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
VS
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

لينوفو VS سامسونج
الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS 1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS 1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج 70 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 MB/s
الجهد التشغيلي - 3.3 V
عرض تفاصيل المقارنة