صفحة 6 من المقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تم إعداد 5 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	4 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14800 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	7.7 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

$مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

كينغماكس VS سامسونج

الميزة	Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		1550000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 V
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	3.5 واط في الوضع النشط	-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	9 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

$مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3400 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	8 g	9 g
خيارات الألوان	Siyah	-
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي$

سامسونج VS سيجيت

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D cMLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2000000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	9 g	14 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	9 جرام (g)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false