صفحة 4 من المقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	7.3 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تقنية التشفير	Yes	Yes
سعة الذاكرة	7.68 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	151.3 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		1550000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تقنية التشفير	Yes	Yes
سعة الذاكرة	3.84 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	146.2 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج 990 برومع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سامسونج VS سامسونج

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1200000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1550000 IOPS	30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)	2.5"
وزن المنتج	9 g	58 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14700 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	7.7 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	512 GB	1 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	6.5 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

ديل VS سامسونج

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	1.6 TB	1 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	8 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
سعة الذاكرة	240 GB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	250 MB/s	6900 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	78000 IOPS	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	26000 IOPS	1550000 IOPS
الحجم والأبعاد	M.2	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 2.0	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1200	1500000 saat
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	7.5 g	9 g
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	اس اس دي داخلي سامسونج 990 برو
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	6900 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	M.2 (80 * 2.3 * 22 mm)
وزن المنتج	8 g	9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	1550000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	3.3 V

عرض تفاصيل المقارنة