صفحة 11 من المقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع ويسترن ديجيتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 سعة 250 جيجابايت

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	ويسترن ديجيتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 سعة 250 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1600 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	2.8 أمبير (a)
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	7.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع ويسترن ديجيتال Red SA500 SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

إنتل VS ويسترن ديجيتال

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	ويسترن ديجيتال Red SA500 SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		95,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		85,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTTF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	100.2 x 69.85 x 7 مم
وزن المنتج	-	37.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

إنتل VS سيلكون باور

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	420 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	true
دعم RAID	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	63 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع TwinMOS Hyper H2 Ultra SATA 2.5 بوصة بسعة 128 جيجابايت

إنتل VS توينموس

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	TwinMOS Hyper H2 Ultra SATA 2.5 بوصة بسعة 128 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		120 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		155 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	true
دعم RAID	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / Mac OS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
خيارات الألوان	-	رمادي، ذهبي وردي

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	45 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

إنتل VS تروبايت

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	440 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	true
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مادة الهيكل	-	معدن
خيارات الألوان	-	أسود، ذهبي

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

إنتل VS سيلكون باور

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 860EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 4 تيرابايت

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 860EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2,400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	86 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

إنتل VS إم إس آي

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	-	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 850 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	54.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة