1. يُقارِن | Yuqarin
  2. مقارنة إلكترونيات
  3. مقارنة الكمبيوتر وإكسسواراته
  4. مقارنة وحدات تخزين البيانات
  5. مقارنة أقراص SSD

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

إنتل VS سامسونغ
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 46 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 1Tb
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 1Tb

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

إنتل VS سامسونغ
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Pro 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8.5 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

إنتل VS سامسونغ
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 70 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 1Tb
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 1Tb

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

إنتل VS سامسونغ
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Samsung 860 Qvo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 62 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

إنتل VS بي إن واي
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)
وزن المنتج - مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

إنتل VS سامسونغ
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Team Group GX1 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Team Group GX1 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Team Group GX1 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

إنتل VS إم جي
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Team Group GX1 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 430 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,000,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد - 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت

إنتل VS فيكومان
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خاصية Wear Leveling لإطالة عمر الذاكرة / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة
الحجم والأبعاد - 7 * 70 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 55 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

إنتل VS بي إن واي
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false true
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

إنتل VS إم جي
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,800,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 6 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Pro 512Gb
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Pro 512Gb

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro 512Gb

إنتل VS سامسونغ
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج - 51 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 512Gb
VS
مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 512Gb

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 512Gb

إنتل VS سامسونغ
الميزة

Intel 670P Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8.3 جرام (g)
عرض تفاصيل المقارنة