مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	-	2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		Samsung V-NAND
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	false	نعم
دعم NCQ	false	نعم
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
دعم TRIM	-	نعم
دعم S.M.A.R.T	-	نعم
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان	-	أسود
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	-	تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة	-	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع

إنتل VS كروشيال

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		-
مواصفات ذاكرة الفلاش		Micron G8 NAND
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	PCIe Gen4 NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
الميزات الإضافية	-	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280
محتويات العلبة	-	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة	-	فعال

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

إنتل VS كينغسبيك

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
دعم TRIM	-	نعم
دعم S.M.A.R.T	-	نعم
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الميزات الإضافية	-	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Intel 670P Nvme M2 512Gb

إتش بي VS إنتل

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	Intel 670P Nvme M2 512Gb
وزن المنتج	34.4 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	-
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

إنتل VS سانديسك

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC 3D NAND
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية	-	برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Intel 670P Nvme M2 512Gb

إتش بي VS إنتل

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Intel 670P Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	9 g	-
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

إنتل VS بريداتور

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		974000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)
وزن المنتج	-	7 g
الشهادات والتصديقات	-	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

إنتل VS كينغستون

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	640
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
وزن المنتج	-	2.8 g

عرض تفاصيل المقارنة