مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC 3D NAND
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية	-	برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Intel 670P Nvme M2 512Gb

إتش بي VS إنتل

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Intel 670P Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	9 g	-
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

إنتل VS بريداتور

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		974000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)
وزن المنتج	-	7 g
الشهادات والتصديقات	-	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

إنتل VS كينغستون

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	640
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
وزن المنتج	-	2.8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Intel 670P Nvme M2 512Gb

إتش بي VS إنتل

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Intel 670P Nvme M2 512Gb
وزن المنتج	164 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	-
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Intel 670P Nvme M2 512Gb

جيجابايت VS إنتل

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Intel 670P Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

إنتل VS كينغستون

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
وزن المنتج	-	7.7 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

إنتل VS كينغستون

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	160
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)
وزن المنتج	-	2.6 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

إنتل VS كينغستون

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		300000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
وزن المنتج	-	146.2 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

إنتل VS كينغستون

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	10000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		500000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
وزن المنتج	-	151.3 g

عرض تفاصيل المقارنة