صفحة 3 من المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 440 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
مادة الهيكل - معدن
خيارات الألوان - أسود، ذهبي

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 47 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Evo 500Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 960 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Pro 2Tb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 960 Pro 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 9 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع إكس-إنرجي جولد درايف SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

إكس-إنرجي جولد درايف SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 35 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع ويسترن ديجيتال PC SN530 M.2 2280 سعة 256 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

ويسترن ديجيتال PC SN530 M.2 2280 سعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 200 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22 * 30 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 7.5 جرام (g)

مقارنة Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

الميزة

Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tb

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
نوع الاتصال Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
الأنظمة المتوافقة Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS X 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الشهادات والتصديقات -
خيارات الألوان أسود، أبيض -
الحجم والأبعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 مليمتر (mm) 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 35 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل توصيل USB Type-C إلى USB Type-C / محول USB Type-A إلى USB Type-C / دليل المستخدم -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 512 ميجابايت DDR4
العمر الافتراضي المتوسط - 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
وزن المنتج - 46 جرام (g)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tb

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 جرام (g) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM - 512 ميجابايت DDR4
استهلاك الطاقة -
الميزات الإضافية - مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Pro 512Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Samsung 960 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box -
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8.3 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع ويسترن ديجيتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 سعة 500 جيجابايت

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

ويسترن ديجيتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 سعة 500 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 90,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 82,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,750,000 ساعة (MTTF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 2.38 x 22 x 80 مم
مؤشر الحالة LED false false
وزن المنتج - 4.8 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM 512 ميجابايت DDR4 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) 336 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm) 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 34 جرام (g)