صفحة 2 من المقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS Hyper H2 Ultra SATA 2.5 بوصة بسعة 128 جيجابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع TwinMOS Hyper H2 Ultra SATA 2.5 بوصة بسعة 128 جيجابايت

جيجابايت VS توينموس

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	TwinMOS Hyper H2 Ultra SATA 2.5 بوصة بسعة 128 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		120 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		155 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / Mac OS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.4 والإصدارات الأحدث
خيارات الألوان	-	رمادي، ذهبي وردي

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		3.84 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	160 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

جيجابايت VS سيلكون باور

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston A400 240Gb$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Kingston A400 240Gb

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Kingston A400 240Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	350 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	41 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت

جيجابايت VS فيكومان

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خاصية Wear Leveling لإطالة عمر الذاكرة / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	7 * 70 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	55 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Crucial Bx500 480Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb$

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb

كروشيال VS جيجابايت

الميزة	Crucial Bx500 480Gb	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 95 * 125 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-	512 ميجابايت DDR4
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايت

جيجابايت VS إم جي

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 240 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 1Tb$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate Xbox Series 512Gb$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Seagate Xbox Series 512Gb

جيجابايت VS مايكروسوفت

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Seagate Xbox Series 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين		منفذ خاص (مخصص)
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	5 * 76 * 139 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	68 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo 250Gb$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo 250Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Samsung 970 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gbمع Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

جيجابايت VS سيلكون باور

الميزة	جيجابايت Aorus Nvme M2 500Gb	Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	512 ميجابايت DDR4	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة