صفحة 4 من المقارنة قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 540 MB/s 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 50 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
الشهادات والتصديقات RoHS CE, RoHS
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 960 GB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1800000 saat 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 40 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
الشهادات والتصديقات RoHS CE, RoHS
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
سعة الذاكرة 2 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 370
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 10 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE CE, RoHS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3200 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 250 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 8 g 10 g
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 370
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 46 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

علامة تجارية غير معروفة VS إكس بي جي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 370
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 7.5 g 10 g
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, RoHS
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D NAND
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 9 g 10 g
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة - PCI Express 4.0
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة التسلسلية - 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 512 GB 512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 6.5 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية - 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 370
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3400 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 370
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 8 g 10 g
خيارات الألوان Siyah -
الشهادات والتصديقات RoHS CE, RoHS
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 2 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 12 g 10 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA CE, RoHS