صفحة 3 من المقارنة قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 510000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 370
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 510000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 370
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 250 GB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 8 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 3.84 TB 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS 510000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 58 g 10 g
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
العمر الافتراضي المتوسط - 370
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 510000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 370
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 x 22 x 80 مم M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 370
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA CE, RoHS
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 10 g

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 4 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 370
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 46 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 250 GB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 8 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 1.92 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC 3D NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 370
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 110 * 2 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 14 g 10 g
خيارات الألوان Black, Green -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة التسلسلية - 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

علامة تجارية غير معروفة VS إكس بي جي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 370
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 6 g 10 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI CE, RoHS
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 2 TB 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 2600 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 480 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 7 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات CE, RoHS CE, RoHS
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 1.92 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 69 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS