مقارنة قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
دعم TRIM -
دعم S.M.A.R.T -
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
تقنية التشفير - Yes
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 MB/s
ذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 370
دعم NCQ -
دعم TRIM -
دعم S.M.A.R.T -
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
تقنية التشفير Yes
خيارات الألوان -
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 10 g
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
استهلاك الطاقة -
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع الاتصال -
سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
محتويات العلبة -
تصميم وأبعاد الجهاز -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 510000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 370
استهلاك الطاقة 3.5 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 10 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

جيجابايت Nvme M2 256Gb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 510000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 370
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 10 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايتمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 510000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW) 370
دعم NCQ true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة -
الشهادات والتصديقات CE, RoHS
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الحجم والأبعاد - M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج - 10 g

مقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 510000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الشهادات والتصديقات CE, RoHS
الحجم والأبعاد 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
تقنية التشفير - Yes
العمر الافتراضي المتوسط - 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 10 g

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb) 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 510000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 370
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 10 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 240 GB 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 360 MB/s 2600 MB/s
الجهد التشغيلي 5 V -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 70 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 38.2 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 1.92 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC 3D NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 370
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 70 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
سرعة القراءة التسلسلية - 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 MB/s
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 2 TB 512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) M.2 (22 * 80 * 4.3 mm)
وزن المنتج 9 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية - 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 425000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 510000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 370
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS