مقارنة Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

جيجابايت VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة مع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

كروشيال VS إكس بي جي

الميزة		Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	-	1 تيرابايت (tb)
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

علامة تجارية غير معروفة VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	11 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

لينوفو VS إكس بي جي

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
سعة الذاكرة	512 GB	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.2 g	11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

لينوفو VS إكس بي جي

الميزة	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	47500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة مع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سامسونغ VS إكس بي جي

الميزة		Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	ذاكرة فلاش NAND	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال	NVMe	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	7150 ميجابايت/ثانية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	فعال	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة مع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سامسونغ VS إكس بي جي

الميزة		Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	SSD داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	نعم	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش	Samsung V-NAND
وحدة التحكم	Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	نعم	false
دعم TRIM	نعم	false
دعم S.M.A.R.T	نعم	false
الأنظمة المتوافقة	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)	-
الميزات الإضافية	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5	-
تقنية التشفير	تشفير AES 256 بت	-
خيارات الألوان	أسود	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	تقريبًا 8.0 جرام	11 جرام (g)
محتويات العلبة	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم RAID	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

أداتا VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	12 g	11 جرام (g)
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

كينغستون VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	320	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	440000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	11 جرام (g)
خيارات الألوان	Black, Green	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة