مقارنة Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 11 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 50 g 11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 50 g 11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخليمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سعة الذاكرة 960 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1800000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 40 g 11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات RoHS
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

وزن المنتج 34.4 g 11 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة - 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري -
الحجم والأبعاد M.2 2280 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة - 1 تيرابايت (tb)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

علامة تجارية غير معروفة VS إكس بي جي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 11 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سعة الذاكرة 512 GB 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 6900 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.2 g 11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 11 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - true
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

الميزة

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 1Tb

نوع استخدام الذاكرة ذاكرة فلاش NAND داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال NVMe -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 7150 ميجابايت/ثانية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد M.2 2280 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة فعال 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false