صفحة 14 من المقارنة Twinmos Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 970 Pro M2 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

الميزة	Samsung 970 Pro M2 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	مناسب للألعاب / برنامج Magician Software لـ SSD
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	5.2 واط في وضع القراءة / 5.7 واط في وضع الكتابة / 8.5 واط في الوضع الأقصى / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Twinmos Nvme M2 512Gbمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

توينموس VS إكس بي جي

الميزة	Twinmos Nvme M2 512Gb	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	11 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS دي إس

الميزة	Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	Windows الإصدار 8 والإصدارات الأحدث / macOS X الإصدار 10.6 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	true
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2
الشهادات والتصديقات	-
مادة الهيكل	-	بلاستيك
خيارات الألوان	-	أسود، أزرق، أخضر
الحجم والأبعاد	-	9.6 * 52.5 * 100.8 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	52 جرام (g)
محتويات العلبة	-	كابل USB Type C إلى USB Type C / محول USB Type C إلى USB Type A / دليل المستخدم

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

ليكسار VS توينموس

الميزة	Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	9 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS أدا

الميزة	Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 1480 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري) / 4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري)
وزن المنتج	-	7 جرام (بدون المشتت الحراري) ** 10 جرام (مع المشتت الحراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS أدا

الميزة	Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 370 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع السكون (Slumber)
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري)
وزن المنتج	-	10 جرام (مع المشتت الحراري) ** 6 جرام (بدون المشتت الحراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS أدا

الميزة	Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 9 والإصدارات الأحدث / Linux 2.6 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	يدعم آيباد وماك بوك ووحدات تحكم الألعاب
مؤشر الحالة LED	false	true
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2
الحجم والأبعاد	-	12.25 * 35 * 64.8 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	31 جرام (g)
محتويات العلبة	-	كابل USB-C إلى USB-C / كابل USB-C إلى USB-A / دليل المستخدم

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS أدا

الميزة	Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	13.4 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS سامسونغ

الميزة	Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
خيارات الألوان	-	أسود، أزرق، رمادي (توب)
الحجم والأبعاد	-	13 * 59 * 88 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	98 جرام (g)
محتويات العلبة	-	كابل USB Type-C إلى USB Type-C / كابل USB Type-C إلى USB Type-A / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS أدا

الميزة	Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة