مقارنة Twinmos Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Kingston A400 240Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Kingston A400 240Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

الميزة	Kingston A400 240Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	350 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	41 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 960 Evo 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Samsung 960 Evo 500Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 960 Evo 500Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 860 Qvo 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	62 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Pny Cs3140 Nvme M2 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

بي إن واي VS توينموس

الميزة	Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)	-
وزن المنتج	مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Ns100 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Lexar Ns100 512Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

ليكسار VS توينموس

الميزة	Lexar Ns100 512Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	256 (TBW) تيرابايت (tb)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	34 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 960 Pro 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Samsung 960 Pro 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 960 Pro 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	8.5 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 960 Pro 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Samsung 960 Pro 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 960 Pro 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	9 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Adata Premier Pro Sp900 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 256Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

أدا VS توينموس

الميزة	Adata Premier Pro Sp900 256Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	545 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	535 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	68 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سيغيت VS توينموس

الميزة	Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	47 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

ترانسيند VS توينموس

الميزة	Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / برنامج Transcend SSD Scope	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.58 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
وحدة التحكم	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

إم جي VS توينموس

الميزة	Team Group T-Force VULCAN SATA 2.5 بوصة بسعة 500 جيجابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	510 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 240 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توشيبا VS توينموس

الميزة	Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	-	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة