صفحة 13 من المقارنة Twinmos Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Legend 750 Nvme M2 500Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

الميزة	Adata Legend 750 Nvme M2 500Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
خيارات الألوان	-	أزرق
الحجم والأبعاد	-	3.1 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.1 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري
وزن المنتج	-	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS سامسونغ

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
الحجم والأبعاد	-	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS كينغماكس

الميزة	Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
استهلاك الطاقة	-	3.5 واط في الوضع النشط
الحجم والأبعاد	-	22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	10 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
الحجم والأبعاد	-	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate Xbox Series 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS مايكروسوفت

الميزة	Seagate Xbox Series 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	5 * 76 * 139 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	68 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS سيغيت

الميزة	Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
استهلاك الطاقة	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	47 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Klevv Cras C910 Nvme M2 500Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS كليف

الميزة	Klevv Cras C910 Nvme M2 500Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	350 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	برنامج Acronis True Image HD 2018 / دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / دعم ترميز LPDC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	3.40 x 22 x 80 مم (مع مبدد حراري) / 2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري)
وزن المنتج	-	10 غ (مع مبدد حراري) / 7 غ (بدون مبدد حراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 256Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS كينغسبيك

الميزة	Kingspec Nt M2 2280 256Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 174 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الحجم والأبعاد	-	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 128Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS أدا

الميزة	Adata Premier Pro Sp900 128Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	545 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	535 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
استهلاك الطاقة	-	0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد
الحجم والأبعاد	-	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	68 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

توينموس VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 Qvo 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 980 Nvme M2 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 980 Nvme M2 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة