مقارنة Twinmos Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة مع Twinmos Nvme M2 512Gb

الميزة		Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	ذاكرة فلاش NAND	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال	NVMe	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	7150 ميجابايت/ثانية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	-
محتويات العلبة	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	فعال	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة مع Twinmos Nvme M2 512Gb

كروشيال VS توينموس

الميزة		Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	M.2 2280	-
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة مع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة		Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	SSD داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	نعم	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش	Samsung V-NAND
وحدة التحكم	Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	نعم	true
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
تقنية التشفير	تشفير AES 256 بت	-
خيارات الألوان	أسود	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)	-
وزن المنتج	تقريبًا 8.0 جرام	-
محتويات العلبة	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سيلكون باور VS توينموس

الميزة	Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2	-
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات		-
مادة الهيكل	بلاستيك	-
الحجم والأبعاد	11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	46 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
محتويات العلبة	كابل USB Type-C إلى USB Type-A	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Twinmos Nvme M2 512Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي	Twinmos Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	47500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Twinmos Nvme M2 512Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

توينموس VS سانديسك

الميزة	Twinmos Nvme M2 512Gb	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Twinmos Nvme M2 512Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	Twinmos Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	512 GB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	-
وزن المنتج	7.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

كينغستون VS توينموس

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Twinmos Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	-
وزن المنتج	151.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Twinmos Nvme M2 512Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758	Twinmos Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 76 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	9 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

كينغستون VS توينموس

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14700 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	7.7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع Twinmos Nvme M2 512Gb

بريداتور VS توينموس

الميزة	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي	Twinmos Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
سرعة القراءة التسلسلية	7200 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6300 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	974000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)	-
وزن المنتج	7 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Twinmos Nvme M2 512Gb

إتش بي VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Twinmos Nvme M2 512Gb
وزن المنتج	164 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	-
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة