مقارنة Twinmos Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سيلكون باور VS توينموس

الميزة	Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سيلكون باور VS توينموس

الميزة	Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	46 جرام (g)	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

ليكسار VS توينموس

الميزة	Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	168 (TBW) تيرابايت (tb)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	34 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

كروشيال VS توينموس

الميزة	Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	9 * 95 * 125 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	70 جرام (g)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	100 x 69.85 x 6.8 مم	-
وزن المنتج	62 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سابرنت VS توينموس

الميزة	Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	260 (TBW) تيرابايت (tb)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	10 * 80 * 100 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingston Ssdnow Uv400 480Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Kingston Ssdnow Uv400 480Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

كينغستون VS توينموس

الميزة	Kingston Ssdnow Uv400 480Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	0.59 واط في وضع القراءة / 2.515 واط في وضع الكتابة / 0.693 واط في المتوسط / 0.672 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	57 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
محتويات العلبة	حافظة خاصة لاستخدام الذاكرة كوحدة تخزين خارجية / فاصل 7 مم إلى 9.5 مم لزيادة ارتفاع SSD / حامل 3.5 بوصة للتركيب في الكيس / كابل USB / كابل SATA / كابل بيانات / رقم تسلسلي لتنزيل برنامج Acronis Data Migration	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingston A400 240Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Kingston A400 240Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

كينغستون VS توينموس

الميزة	Kingston A400 240Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	350 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	41 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 960 Evo 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Samsung 960 Evo 500Gbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 960 Evo 500Gb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 860 Qvo 1Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	62 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 512Gb$

مقارنة Pny Cs3140 Nvme M2 2Tbمع Twinmos Nvme M2 512Gb

بي إن واي VS توينموس

الميزة	Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)	-
وزن المنتج	مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة