مقارنة Twinmos Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Twinmos Nvme M2 512Gb

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	Twinmos Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	6.5 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Twinmos Nvme M2 512Gb

فيليبس VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00	Twinmos Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	240 GB
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي	5 V	3.3 فولت (v)
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	-
وزن المنتج	38.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280مع Twinmos Nvme M2 512Gb

كينغسبيك VS توينموس

الميزة	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280	Twinmos Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe Gen3x4
نوع الاتصال	NVMe Gen3x4	-
سعة الذاكرة	512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	M.2 2280	-
محتويات العلبة	SSD، وثائق	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Twinmos Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

توينموس VS إكس بي جي

الميزة	Twinmos Nvme M2 512Gb	محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	250
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج	-	8 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخليمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سيجيت VS توينموس

الميزة	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي	Twinmos Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1800000 saat	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)	-
وزن المنتج	40 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)	Twinmos Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	5 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	-
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سيجيت VS توينموس

الميزة	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي	Twinmos Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	540 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1400	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)	-
وزن المنتج	50 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Twinmos Nvme M2 512Gb

أداتا VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	Twinmos Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	-
وزن المنتج	12 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Twinmos Nvme M2 512Gb

جيجابايت VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Twinmos Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Twinmos Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Twinmos Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Twinmos Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي	Twinmos Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3225 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5"	-
وزن المنتج	58 g	-
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة