مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايتمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

الميزة

Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1366 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 8 واط في الوضع النشط / 2.6 واط في وضع الخمول 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 110.2 x 22 x 38 مم 14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج 20 جرام (g) 210 جرام (g)
الميزات الإضافية - خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) 14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج 70 جرام (g) 210 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
استهلاك الطاقة - 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
الميزات الإضافية - خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
استهلاك الطاقة 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase) -
الحجم والأبعاد 14 x 69 x 100 مم 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 210 جرام (g) 46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
استهلاك الطاقة 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase) -
الحجم والأبعاد 14 x 69 x 100 مم 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 210 جرام (g) 46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة Lexar Sl200 Usb 31 1Tbمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

الميزة

Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 6.4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm) 14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج 40.6 جرام (g) 210 جرام (g)
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر) -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة - 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
الميزات الإضافية - خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

الميزة

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 210 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

الميزة

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 210 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع Team Group GX1 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

Team Group GX1 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 430 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase) -
الحجم والأبعاد 14 x 69 x 100 مم 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 210 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

الميزة

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
الحجم والأبعاد 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري) 14 x 69 x 100 مم
مؤشر الحالة LED false false
وزن المنتج - 210 جرام (g)

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع إكس-إنرجي جولد درايف SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

الميزة

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

إكس-إنرجي جولد درايف SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 6.4 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
الحجم والأبعاد 14 x 69 x 100 مم -
وزن المنتج 210 جرام (g) 35 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الأنظمة المتوافقة - Windows
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع SK Hynix BC711 NVMe M.2 2280 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

SK Hynix BC711 NVMe M.2 2280 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
استهلاك الطاقة 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase) -
الحجم والأبعاد 14 x 69 x 100 مم 2.4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 210 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايتمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج 45 جرام (g) 210 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)