مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb	Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
الحجم والأبعاد	14 x 69 x 100 مم	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	210 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	6.4 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		أحدث ذاكرة NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
استهلاك الطاقة	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول	فعال
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الحجم والأبعاد	14 x 69 x 100 مم	M.2 2280
وزن المنتج	210 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير	-
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	6.4 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	false	نعم
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	false	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	نعم
الميزات الإضافية	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الحجم والأبعاد	14 x 69 x 100 مم	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	210 جرام (g)	تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
وحدة التحكم	-	Samsung Elpis Controller
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان	-	أسود
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع

سامسونغ VS كروشيال

الميزة	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	6.4 تيرابايت (tb)	-
مواصفات ذاكرة الفلاش		Micron G8 NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
استهلاك الطاقة	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد	14 x 69 x 100 مم	M.2 2280
وزن المنتج	210 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	PCIe Gen4 NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
محتويات العلبة	-	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

سامسونغ VS كينغسبيك

الميزة	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	6.4 تيرابايت (tb)	512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
استهلاك الطاقة	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	نعم
الميزات الإضافية	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد	14 x 69 x 100 مم	M.2 2280
وزن المنتج	210 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	6.4 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		90000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1400
استهلاك الطاقة	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)	-
الحجم والأبعاد	14 x 69 x 100 مم	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج	210 جرام (g)	50 g
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

بريداتور VS سامسونغ

الميزة	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	6.4 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	7200 MB/s	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6300 MB/s	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	974000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)	14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج	7 g	210 جرام (g)
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	6.4 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		90000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1400
استهلاك الطاقة	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)	-
الحجم والأبعاد	14 x 69 x 100 مم	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج	210 جرام (g)	50 g
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	4 TB	6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج	46 g	210 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb
سعة الذاكرة	1 TB	6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج	9 g	210 جرام (g)
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	14 x 69 x 100 مم
وزن المنتج	46 g	210 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	Samsung Pm1725B Nvme M2 6 4Tb
وزن المنتج	34.4 g	210 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	14 x 69 x 100 مم
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-	6.4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-	23 واط في الوضع النشط / 7 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-	خوارزمية المسح الآمن الفوري (Instant Secure Erase)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة