صفحة 6 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تم إعداد 4 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 g 57 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 57 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 250
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 57 g 8 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0مع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج MZ-77Q8T0

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1800000 saat
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 69.8 * 6.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج 57 g 40 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات - RoHS