صفحة 2 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Adata Legend 850 Lite Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Adata Legend 850 Lite Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Legend 850 Lite Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3.63 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 2.65 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	8.5 جرام (مع المشتت الحراري) ** 5.5 جرام (بدون المشتت الحراري)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Crucial P5 Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Crucial P5 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كروشيال VS سامسونج

الميزة	Crucial P5 Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTTF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الشهادات والتصديقات		-
الجهد التشغيلي	-	5 V
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0) {request()->input('language_config')['common']['with']} Western Digital Black Sn850 Nvme M2 500Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Western Digital Black Sn850 Nvme M2 500Gb

سامسونج VS ويسترن ديجيتال

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Western Digital Black Sn850 Nvme M2 500Gb
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	4100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	300 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	2.38 x 22.15 x 80.15 مم (بدون مبدد حراري) / 8.8 x 23.4 x 80.2 مم (مع مبدد حراري)
وزن المنتج	46 g	7.5 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Asgard An2 Nvme M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Asgard An2 Nvme M2 250Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أسغارد VS سامسونج

الميزة	Asgard An2 Nvme M2 250Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة CoreParts SSDM256I856 SSD داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة CoreParts SSDM256I856 SSD داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كوربارتس VS سامسونج

الميزة	CoreParts SSDM256I856 SSD داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
سعة الذاكرة	128 GB	1 TB
وزن المنتج	200 g	46 g
الحجم والأبعاد	90 * 30 * 180 mm	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA III

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة CoreParts SSDM480I363 SSD داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة CoreParts SSDM480I363 SSD داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كوربارتس VS سامسونج

الميزة	CoreParts SSDM480I363 SSD داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
سعة الذاكرة	480 GB	1 TB
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	No	Yes
وزن المنتج	200 g	46 g
الحجم والأبعاد	90 * 30 * 180 mm	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كورسير VS سامسونج

الميزة	Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
وزن المنتج	660 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Hp Sas Read Intensive 1 92Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إتش بي VS سامسونج

الميزة	Hp Sas Read Intensive 1 92Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	510 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
استهلاك الطاقة	5.46 واط في وضع القراءة / 5.87 واط في وضع الكتابة / 2.26 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة CoreParts MS-SSD-8TB-020 SSD داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة CoreParts MS-SSD-8TB-020 SSD داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كوربارتس VS سامسونج

الميزة	CoreParts MS-SSD-8TB-020 SSD داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
سعة الذاكرة	8 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	MLC	QLC
الحجم والأبعاد	2.5" (120 * 30 * 80 mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	90 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون KC600 SSD داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة كينغستون KC600 SSD داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون KC600 SSD داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
تقنية التشفير	Yes	Yes
سعة الذاكرة	512 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	90000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	80000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100.1 * 69.8 * 7 mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	40 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0) {request()->input('language_config')['common']['with']} Western Digital Pc Sn730 M2 2280 256Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Western Digital Pc Sn730 M2 2280 256Gb

سامسونج VS ويسترن ديجيتال

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Western Digital Pc Sn730 M2 2280 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	3150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	200 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	2.38 * 22 * 30 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	7.3 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0) {request()->input('language_config')['common']['with']} Western Digital Green Wds120G2G0A Sata 25 Inch 120Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Western Digital Green Wds120G2G0A Sata 25 Inch 120Gb

سامسونج VS دي إس

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Western Digital Green Wds120G2G0A Sata 25 Inch 120Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	545 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	7 * 69.85 * 100.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	32.1 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة