مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Sd620 Usb 32 Gen 2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة	Adata Sd620 Usb 32 Gen 2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	Dahili
نوع الاتصال	Micro-B إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2	-
سرعة القراءة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	460 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS X الإصدار 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 5.0 والإصدارات الأحدث	-
خيارات الألوان	أسود، أحمر، أزرق	-
الحجم والأبعاد	15.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	54.9 جرام (g)	46 g
محتويات العلبة	كابل USB 3.2 / دليل المستخدم	-
تقنية التشفير	-	Yes
سعة الذاكرة	-	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	QLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA III

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Sc680 Usb 3 2 Gen 2 1 9Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Sc680 Usb 3 2 Gen 2 1 9Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	Dahili
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2	-
سعة الذاكرة	1.92 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	460 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
الأنظمة المتوافقة	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS X 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
خيارات الألوان	أسود، أزرق	-
الحجم والأبعاد	10 * 61 * 86.7 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	35 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	true	-
محتويات العلبة	كابل توصيل USB Type-C إلى USB Type-C / كابل توصيل USB Type-C إلى USB Type-A / دليل المستخدم	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA III

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إتش بي VS سامسونج

الميزة	Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	QLC
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Geil Zenith Z3 Sata 2 5 Inch 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

جيل VS سامسونج

الميزة	Geil Zenith Z3 Sata 2 5 Inch 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	470 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Plextor M8Peg 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

بلكستور VS سامسونج

الميزة	Plextor M8Peg 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي		5 V
العمر الافتراضي المتوسط	2,400,000 ساعة (MTBF) / 768 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 8.1 والإصدارات الأحدث / Linux	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.65 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Western Digital Green Wds240G1G0B M2 240Gb

سامسونج VS دي إس

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Western Digital Green Wds240G1G0B M2 240Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	465 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	1.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	6.51 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Sabrent Rocket Q4 Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سابرنت VS سامسونج

الميزة	Sabrent Rocket Q4 Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	4700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
العمر الافتراضي المتوسط	200 (TBW) تيرابايت (tb)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	12.7 * 72.13 * 101.85 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	68 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص صلبة داخلي فوجيتسو PY-TS16NPFمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

فوجيتسو VS سامسونج

الميزة	محرك أقراص صلبة داخلي فوجيتسو PY-TS16NPF	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
سعة الذاكرة	1.6 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC	QLC
الحجم والأبعاد	3.5"	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Twinmos Hyper H2 Ultra Sata 25 Inch 256Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Twinmos Hyper H2 Ultra Sata 25 Inch 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	120 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	155 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	-
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / Mac OS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
خيارات الألوان	-	رمادي، ذهبي وردي

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kioxia Exceria Sata 2 5 Inch 240Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كيوكسا VS سامسونج

الميزة	Kioxia Exceria Sata 2 5 Inch 240Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	555 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 60 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7.20 * 70.10 * 100.45 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	45.5 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كورسير VS سامسونج

الميزة	Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الأنظمة المتوافقة	Windows 10, 11 / macOS X	-
الميزات الإضافية		-
وزن المنتج	11 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Xpg Sx6000 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Xpg Sx6000 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة